EUV
半导体制造用极紫外光刻技术
更多操作
极紫外线（EUV）光刻技术是当前先进半导体制造的核心工艺之一，采用波长为13.5nm的极紫外光进行芯片电路图案的投影曝光。EUV光刻机由荷兰ASML公司主导研发与生产，自2010年代后期开始逐步进入量产，主要应用于7nm、5nm及更先进制程节点。该技术通过反射式光学系统和真空环境工作，克服了深紫外光刻的物理极限，显著提升了芯片的集成度与性能。
EUV
Extreme Ultraviolet Lithography
半导体制造技术
基本信息
用途
芯片制造中的光刻工艺
光源波长
13.5 nm
主要开发者
首次应用
约2018年（7nm制程）
制程节点
7nm、5nm、3nm及以下
在其他网络百科网站中查看此条目
这些站点是什么？