光刻机:修订间差异
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光刻机是[[半导体|半导体制造]]中的关键设备,用于将电路图案通过紫外光曝光转印到硅片上的光刻胶层。其核心作用是在晶圆上形成纳米级精度的电路结构,直接影响芯片的制程节点和集成度。主要技术包括深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光源,以及浸没式、多重图形化等增强方案。光刻机发展经历了接触式、步进式到扫描式演进,荷兰ASML、日本[[尼康]]和[[佳能]]为主要供应商。EUV光刻机于2010年代实现量产,支撑7纳米及以下先进工艺。 | |||