https://ac-wiki.cn/index.php?action=history&feed=atom&title=EUV 2026-09-13T19:32:55Z 本wiki上该页面的版本历史 MediaWiki 1.45.3 https://ac-wiki.cn/index.php?title=EUV&diff=3927&oldid=prev 2026-06-27T07:19:37Z

<p>创建页面，内容为“极紫外线（EUV）光刻技术是当前先进半导体制造的核心工艺之一，采用波长为13.5nm的极紫外光进行芯片电路图案的投影曝光。EUV光刻机由荷兰ASML公司主导研发与生产，自2010年代后期开始逐步进入量产，主要应用于7nm、5nm及更先进制程节点。该技术通过反射式光学系统和真空环境工作，克服了深紫外光刻的物理极限，显著提升了芯片的集成度与性能。…”</p> <p><b>新页面</b></p><div>极紫外线（EUV）光刻技术是当前先进半导体制造的核心工艺之一，采用波长为13.5nm的极紫外光进行芯片电路图案的投影曝光。EUV光刻机由荷兰ASML公司主导研发与生产，自2010年代后期开始逐步进入量产，主要应用于7nm、5nm及更先进制程节点。该技术通过反射式光学系统和真空环境工作，克服了深紫外光刻的物理极限，显著提升了芯片的集成度与性能。<br /> <br /> {{#seo:<br /> |description=极紫外线光刻技术（EUV）是半导体制造中的关键工艺，使用13.5nm波长光源，用于7nm及以下制程芯片生产。<br /> }}<br /> {{信息框<br /> | 标题 = EUV<br /> | 原文名 = Extreme Ultraviolet Lithography<br /> | 类型 = 半导体制造技术<br /> | 分组1 = 基本信息<br /> | 字段1名 = 用途<br /> | 字段1值 = 芯片制造中的光刻工艺<br /> | 字段2名 = 光源波长<br /> | 字段2值 = 13.5 nm<br /> | 字段3名 = 主要开发者<br /> | 字段3值 = [[ASML]]<br /> | 字段4名 = 首次应用<br /> | 字段4值 = 约2018年（7nm制程）<br /> | 字段5名 = 相关技术<br /> | 字段5值 = [[光刻]]、[[深紫外光刻]]<br /> | 字段6名 = 制程节点<br /> | 字段6值 = 7nm、5nm、3nm及以下<br /> }}<br /> {{SHORTDESC:半导体制造用极紫外光刻技术}}<br /> {{外部百科导航}}</div>

天明