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氮化镓是一种宽禁带半导体材料，化学式为GaN。其禁带宽度约为3.4电子伏特，具有高击穿电场、高电子饱和速度和良好导热性。主要应用于发光二极管、激光二极管、射频功率放大器及电力电子器件，如快充充电器和逆变器。相比传统硅材料，氮化镓器件能在更高频率、更高电压和更高温度下工作，同时降低导通电阻和开关损耗，提升系统能效。